目前，高通已經正式宣布，2023驍龍峰會定檔10月24日至10月26日。

結合以往的情況來看，這次活動中將會正式推出第三代驍龍8旗艦平臺，即此前被多次曝光的驍龍8 Gen3芯片。

而在今年的驍龍8 Gen3芯片發布前，網絡上也出現了關于更久之后的驍龍 8 Gen 4 的細節信息。

最新的消息中提到，高通正在進行 3nm 芯片的推進，并逐漸展開產品的生產規劃。

而就目前爆料中的信息來看，高通很有可能會與臺積電、三星合作來生產全新的驍龍 8 Gen 4 芯片。

其中，標準版本的驍龍 8 Gen 4 將由臺積電負責生產；三星則將承擔高通驍龍 8 Gen 4 for Galaxy的生產，也就是驍龍 8 Gen 4“領先版”，其將采用三星的 3nm GAP 工藝。

與此同時，這兩款芯片產品有可能會同時到來，但“領先版”可能會延后開放給其他廠商使用銷售。

以往的消息曾提到過，三星電子先進制程良率較低，自5nm制程開始一直存在良率問題，在4nm和3nm工藝上情況變得更加糟糕。

據傳三星3nm自量產以來，良率不超過20%，量產進度陷入瓶頸。三星目前在4nm和5nm藝節點上出現了與產量有關的問題，其不希望這個問題再次出現在3nm工藝上。

相關消息顯示，三星3nm工藝的改進目前仍在進行中，4nm的工藝提升已初見成效。

據鳳凰網科技報道稱，三星4nm芯片制程良率已改善、接近5nm的水準，下一代4nm制程將提供更高的良率。

不過，就最新爆料中顯示的信息來看，三星可能還需要兩年左右的時間才能夠再次進行基于3nm工藝的旗艦平臺的產品生產。但隨著時間的推進，整體的情況發展也存在著變化的可能。

而在高通的3nm芯片到來前，全新的驍龍 8 Gen 3 旗艦平臺將會首先到來。

此前，一份爆料顯示，全新的驍龍8 Gen3單核跑分成績2233，多核跑分成績 6661。

對比來看，搭載了3.36GHz驍龍8 Gen2的三星Galaxy S23 Plus單核成績2005，多核成績5274；搭載了天璣9200+的設備單核成績2117，多核成績5583。

就此來看，新一代的驍龍8 Gen3在性能表現方面將持續帶來升級。

據悉，驍龍8 Gen3將基于臺積電N4P工藝打造，擁有 1 顆3.3GHz頻率的Cortex X4 超大核、3顆3.15GHz的 A720 大核、2顆2.96GHz 的A720 大核，以及2顆2.27GHz的 A530 小核，配備 Adreno 750 GPU。

與之對比，第二代驍龍8基于 4 納米工藝制造，采用1+2+2+3 架構，擁有1個主頻3.2GHz的超大核、4個主頻2.8GHz的性能核、3個頻率2.0GHz的能效核。

而更早之前的消息則顯示，全新驍龍8 Gen3芯片普通版的頻率將在3.18/3.2GHz左右，安兔兔跑分達到160萬，GFX ES3.1 280FPS±。

與之對比，驍龍 8 Gen 2 的安兔兔跑分在 133萬左右，GFX ES3.1 220FPS±。

至于可能會搭載這顆芯片的手機產品，目前已經曝光了多款。而結合以往的消息來看，小米新一代的數字旗艦首發搭載的可能性要更大一些。

與此同時，摩托羅拉、OPPO、vivo、iQOO、一加、魅族、中興、努比亞等品牌都有望推出搭載了驍龍 8 Gen 3芯片的手機產品。